Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 406-409
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多孔硅新的表面处理技术

虞献文, 陈燕艳, 应桃开, 程存归, 郁可 and 朱自强

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Abstract: 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(2): 406-409
      虞献文, 陈燕艳, 应桃开, 程存归, 郁可, 朱自强. 多孔硅新的表面处理技术[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 406-409. ****多孔硅新的表面处理技术[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 406.
      Citation:
      虞献文, 陈燕艳, 应桃开, 程存归, 郁可, 朱自强. 多孔硅新的表面处理技术[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 406-409. ****
      多孔硅新的表面处理技术[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 406.
      shu

      多孔硅新的表面处理技术

      • Received Date: 2015-08-19

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