多孔硅新的表面处理技术

虞献文; 陈燕艳; 应桃开; 程存归; 郁可; 朱自强

Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 406-409

CONTENTS

多孔硅新的表面处理技术

+ Author Affiliations

Abstract: 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．

1	适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术 Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(6): 1182-1186.
2	硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, et al. Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 67-71.
3	硅基AlN薄膜制备技术与测试分析于毅, 任天令, 刘理天 Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 42-45.
4	多孔硅/PVK复合体系的光电性能周成瑶, 李东升, 张年生, 杨德仁 Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 52-56.
5	基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文) Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(7): 687-692.
6	用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术(英文) Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(6): 574-578.
7	多孔硅的干燥方法 Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(6): 663-667.
8	Design of JPEMFC Fabricated with Porous Silicon Wang Xiaohong, Xie Kewen, Zhou Jun, Liu Litian Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(S1): 198-201.
9	多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构 Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(2): 189-193.
10	钝化多孔硅的光致发光 Chinese Journal of Semiconductors , 2002, 23(1): 34-37.
11	用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究 Chinese Journal of Semiconductors , 2002, 23(6): 668-672.
12	用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术(英文) Chinese Journal of Semiconductors , 2001, 22(12): 1501-1506.
13	双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延 Chinese Journal of Semiconductors , 2000, 21(10): 979-983.
14	多孔硅对硅中缺陷的吸除效应 Chinese Journal of Semiconductors , 1998, 19(12): 936-939.
15	用脉冲腐蚀制备发光多孔硅 Chinese Journal of Semiconductors , 1995, 16(2): 113-117.
16	多孔硅的椭偏光谱研究 Chinese Journal of Semiconductors , 1995, 16(3): 177-181.
17	多孔硅中的新量子限制态和PL光谱 Chinese Journal of Semiconductors , 1995, 16(9): 641-648.
18	离子辐照对多孔硅性质的影响 Chinese Journal of Semiconductors , 1994, 15(8): 573-576.
19	多孔硅的电致发光研究 Chinese Journal of Semiconductors , 1993, 14(3): 139-142.
20	多孔硅发强可见光的新物理模型 Chinese Journal of Semiconductors , 1993, 14(10): 648-651.

Search

GET CITATION

shu

Export: BibTex EndNote

Article Metrics

Article views: 2603 Times PDF downloads: 1688 Times Cited by: 0 Times

History

Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．

多孔硅新的表面处理技术

Search

GET CITATION

Share:

Article Metrics

History

Catalog

Email This Article

多孔硅新的表面处理技术

Abstract

References

Proportional views

Catalog

多孔硅新的表面处理技术

Search

GET CITATION

Share:

Article Metrics

History

Catalog

Email This Article

多孔硅新的表面处理技术

Abstract

References

Proportional views

Catalog

Export File

Citation

Format

Content