为了生长能满足器件制作所需的外延片，采用低压金属有机物化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）结构，1.55μm多量子阱激光二极管（MQW LD）以及两者集成的光发射光电集成电路（OEIC）材料结构。激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱（阱区λ＝1.6μm，垒区λ＝1.28μm）；HBT结构则采用550℃低温生长，其中基区采用Zn掺杂，掺杂浓度约为2×1019 cm-3。对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射，光致发光谱（PL）和二次离子质谱仪（SIMS）测试，结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。