Chin. J. Semicond. > 2003, Volume 24 > Issue 8 > 841-846
|

CONTENTS

多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

胡小华 , 王圩 , 朱洪亮 , 王宝军 , 李宝霞 , 周帆 , 田惠良 , 舒惠云 , 边静 and 王鲁峰

+ Author Affiliations

PDF

Key words: 电吸收调制DFB激光器, 对接外延, LP-MOCVD, InGaAsP多量子阱

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2606 Times PDF downloads: 979 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2003

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2003  >  24(8): 841-846
      胡小华, 王圩, 朱洪亮, 王宝军, 李宝霞, 周帆, 田惠良, 舒惠云, 边静, 王鲁峰. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(8): 841-846.
      Citation:
      胡小华, 王圩, 朱洪亮, 王宝军, 李宝霞, 周帆, 田惠良, 舒惠云, 边静, 王鲁峰. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(8): 841-846.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return