Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 120-125
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Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

田豫 and 黄如

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Abstract: 针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      田豫, 黄如. Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 120-125. ****田豫, 黄如, Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 120-125
      Citation:
      田豫, 黄如. Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 120-125. ****
      田豫, 黄如, Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 120-125
      shu

      Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

      • Received Date: 2015-08-19

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