Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 390-394
|

CONTENTS

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

王建林, 刘忠立, 王良臣, 曾一平, 杨富华 and 白云霞

+ Author Affiliations

PDF

Abstract: 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性．测试表明：在室温下，RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm．这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础．

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2879 Times PDF downloads: 1404 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(2): 390-394
      王建林, 刘忠立, 王良臣, 曾一平, 杨富华, 白云霞. RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 390-394. ****RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 390.
      Citation:
      王建林, 刘忠立, 王良臣, 曾一平, 杨富华, 白云霞. RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 390-394. ****
      RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 390.
      shu

      RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

      • Received Date: 2015-08-19

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return