研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN；撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化，后者的却有明显减小；稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化，而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关，用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭；认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果，并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。