Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 8 > 760-764
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

李代宗 , 成步文 , 黄昌俊 , 王红杰 , 于卓 , 张春晖 , 余金中 and 王启明

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Key words: 超高真空化学气相淀积, SiGe, Raman散射

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2000

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      李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明. Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(8): 760-764.
      Citation:
      李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明. Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(8): 760-764.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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