Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 7 > 723-725
|

CONTENTS

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

孙殿照 , 王晓亮 , 王军喜 , 刘宏新 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 , 侯洵 and 林兰英

+ Author Affiliations

PDF

Key words: 氮化镓, 分子束外延

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎. 高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(4): 756-759.
    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2705 Times PDF downloads: 1298 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 July 2000

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2000  >  21(7): 723-725
      刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎. 高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(4): 756-759.
      Citation:
      孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(7): 723-725.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return