Chin. J. Semicond. > 2003, Volume 24 > Issue 6 > 602-605
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

胡国新 , 王晓亮 , 孙殿照 , 王军喜 , 刘宏新 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 and 林兰英

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Key words: RF-MBE, 二维电子气, HFET, AlGaN/GaN

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 June 2003

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      胡国新, 王晓亮, 孙殿照, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 林兰英. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(6): 602-605.
      Citation:
      胡国新, 王晓亮, 孙殿照, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 林兰英. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(6): 602-605.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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