Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 138-142
|

CONTENTS

基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

王文辉, 唐衍哲, 戈肖鸿, 吴亚明, 杨建义 and 王跃林

+ Author Affiliations

PDF

Abstract: 研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2629 Times PDF downloads: 2176 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(1): 138-142
      王文辉, 唐衍哲, 戈肖鸿, 吴亚明, 杨建义, 王跃林. 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 138-142. ****王文辉, 唐衍哲, 戈肖鸿, 吴亚明, 杨建义, 王跃林. 2005: 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺. Journal of Semiconductors, 26(1): 138-142.
      Citation:
      王文辉, 唐衍哲, 戈肖鸿, 吴亚明, 杨建义, 王跃林. 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 138-142. ****
      王文辉, 唐衍哲, 戈肖鸿, 吴亚明, 杨建义, 王跃林. 2005: 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺. Journal of Semiconductors, 26(1): 138-142.
      shu

      基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

      • Received Date: 2015-08-19

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return