MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析

潘飞蹊; 陈星弼

Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 126-132

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MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析

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Abstract: 对少数载流子寿命横向非均匀分布（minority-carrier life time lateral non-uniform distribution，MLD）结构的快恢复二极管进行了理论研究．首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态，给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间温度（trr-T）稳定性的一个定性解释，然后利用“平均寿命”对MLD二极管的trr-T特性进行了讨论．模拟结果证明了理论分析的正确性．

1	Current_Voltage Characteristics of n-SiOxNy/n-Si Heterojunction Diode Grown on Silicon Xu Mingzhen, Tan Changhua Chinese Journal of Semiconductors , 2007, 28(S1): 369-371.
2	Design,Fabrication,and Analysis of a Resonant Tunneling Diode Zhang Lei, Yang Ruixia, Wu Yibin, Shang Yaohui, Gao Jinhuan, et al. Chinese Journal of Semiconductors , 2007, 28(5): 737-740.
3	新结构微波功率SiGe HBT的数值分析刘亮, 王玉琦, 肖波, 亢宝位, 吴郁, et al. Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 96-101.
4	衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计尹韬, 朱樟明, 杨银堂, 郭磊 Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 158-162.
5	垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究潘炜, 张晓霞, 罗斌, 邓果, 李孝峰, et al. Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(2): 357-362.
6	Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化田豫, 黄如 Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(1): 120-125.
7	双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管李果华, 孙艳宁, 严辉, Aristo, Yulius, et al. Chinese Journal of Semiconductors , 2005, 26(2): 354-356.
8	少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性 Chinese Journal of Semiconductors , 2004, 25(3): 297-301.
9	用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究 Chinese Journal of Semiconductors , 2003, 24(5): 520-527.
10	新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计 Chinese Journal of Semiconductors , 2002, 23(7): 735-740.
11	量子共振隧穿二极管的频率特性与分析 Chinese Journal of Semiconductors , 2002, 23(11): 1192-1195.
12	Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性 Chinese Journal of Semiconductors , 2001, 22(2): 203-207.
13	nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1998, 19(8): 583-590.
14	硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响 Chinese Journal of Semiconductors , 1997, 18(3): 223-227.
15	激光二极管动态调制分析模型及其应用 Chinese Journal of Semiconductors , 1991, 12(7): 416-422.
16	MoNb-GaAs肖脱基势垒二极管的界面分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1985, 6(1): 55-60.
17	雪崩光电二极管体内漏电流的测量分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1981, 2(1): 29-35.
18	GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1981, 2(4): 307-316.
19	具有PTF>1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管的理论分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1981, 2(1): 45-54.
20	IMPATT雪崩二极管大信号理论分析 Chinese Journal of Semiconductors , 1981, 2(1): 36-44.

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潘飞蹊, 陈星弼. MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 126-132.

潘飞蹊, 陈星弼, MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 126-132

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Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

对少数载流子寿命横向非均匀分布（minority-carrier life time lateral non-uniform distribution，MLD）结构的快恢复二极管进行了理论研究．首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态，给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间温度（trr-T）稳定性的一个定性解释，然后利用“平均寿命”对MLD二极管的trr-T特性进行了讨论．模拟结果证明了理论分析的正确性．

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