Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 126-132
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MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析

潘飞蹊 and 陈星弼

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Abstract: 对少数载流子寿命横向非均匀分布（minority-carrier life time lateral non-uniform distribution，MLD）结构的快恢复二极管进行了理论研究．首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态，给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间温度（trr-T）稳定性的一个定性解释，然后利用“平均寿命”对MLD二极管的trr-T特性进行了讨论．模拟结果证明了理论分析的正确性．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      潘飞蹊, 陈星弼. MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 126-132. ****潘飞蹊, 陈星弼. 2005: MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析. Journal of Semiconductors, 26(1): 126-132.
      Citation:
      潘飞蹊, 陈星弼. MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 126-132. ****
      潘飞蹊, 陈星弼. 2005: MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析. Journal of Semiconductors, 26(1): 126-132.
      shu

      MLD结构快恢复二极管trr-T特性的理论分析

      • Received Date: 2015-08-19

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