Chin. J. Semicond. > 2003, Volume 24 > Issue 4 > 411-415
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一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

石华芬 , 张海英 , 刘训春 , 陈宝钦 , 刘明 and 王云翔

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Key words: PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构, InPPHEMT, 电子束曝光, T型纳米栅

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 April 2003

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      石华芬, 张海英, 刘训春, 陈宝钦, 刘明, 王云翔. 一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(4): 411-415.
      Citation:
      石华芬, 张海英, 刘训春, 陈宝钦, 刘明, 王云翔. 一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(4): 411-415.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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