Chin. J. Semicond. > 2004, Volume 25 > Issue 2 > 121-125

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RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)

王晓亮 , 胡国新 , 王军喜 , 刘新宇 , 刘键 , 刘宏新 , 孙殿照 , 曾一平 , 钱鹤 , 李晋闽 , 孔梅影 and 林兰英

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Key words: 高电子迁移率晶体管, 氮化镓, 场效应晶体管, RF-MBE

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2004

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2004  >  25(2): 121-125
      王晓亮, 胡国新, 王军喜, 刘新宇, 刘键, 刘宏新, 孙殿照, 曾一平, 钱鹤, 李晋闽, 孔梅影, 林兰英. RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2004, 25(2): 121-125.
      Citation:
      王晓亮, 胡国新, 王军喜, 刘新宇, 刘键, 刘宏新, 孙殿照, 曾一平, 钱鹤, 李晋闽, 孔梅影, 林兰英. RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2004, 25(2): 121-125.
      shu

      • Received Date: 2015-08-19

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