Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 314-318
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射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性

余旭浒, 马瑾, 计峰, 王玉恒, 王翠英 and 马洪磊

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Abstract: 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌（ZnO∶Ga）透明导电膜，并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究．制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜，最佳择优取向为(002)方向．薄膜的最低电阻率达到了3.9×10－4Ω·cm，方块电阻约为4.6Ω/□，薄膜具有良好的附着性，在可见光区的平均透过率达到90％以上．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

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      余旭浒, 马瑾, 计峰, 王玉恒, 王翠英, 马洪磊. 射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 314-318. ****射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 314.
      Citation:
      余旭浒, 马瑾, 计峰, 王玉恒, 王翠英, 马洪磊. 射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 314-318. ****
      射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 314.
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      射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性

      • Received Date: 2015-08-19

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