Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 324-328
|

CONTENTS

TiO2薄膜制备及其氧敏特性

戴振清, 孙以材, 潘国峰, 孟凡斌 and 李国玉

+ Author Affiliations

PDF

Abstract: 采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜，在不同温度下对薄膜进行退火，研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况．对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试，结果表明，在400℃下灵敏度随氧分压增加最快，并且在400℃具有最高的灵敏度．得到的激活能为0.41eV，并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论．

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2328 Times PDF downloads: 1840 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(2): 324-328
      戴振清, 孙以材, 潘国峰, 孟凡斌, 李国玉. TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 324-328. ****TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 324.
      Citation:
      戴振清, 孙以材, 潘国峰, 孟凡斌, 李国玉. TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 324-328. ****
      TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 324.
      shu

      TiO2薄膜制备及其氧敏特性

      • Received Date: 2015-08-19

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return