Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 11 > 1111-1115
|

CONTENTS

组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

李代宗 , 成步文 , 黄昌俊 , 王红杰 , 于卓 , 张春晖 , 余金中 and 王启明

+ Author Affiliations

PDF

Key words: 超高真空化学气相淀积, SiGe, Raman散射, 俄歇电子能谱, X射线双晶衍射

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2271 Times PDF downloads: 974 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 November 2000

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2000  >  21(11): 1111-1115
      李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明. 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(11): 1111-1115.
      Citation:
      李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明. 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(11): 1111-1115.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return