Chin. J. Semicond. > 1994, Volume 15 > Issue 12 > 844-849

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Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在(100)InP衬底上的LPE法生长

陈根祥,李洵,简水生

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Abstract:

本文运用R.A.S(Regular Associated Solutions)模型的基本原理,导出了简明的适用于AⅡ-BⅥ-CⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程.并由此计算了Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡曲线,计算结果与已有的实验数据符合.最后,对ZnSe0.52Te0.48在(100)InP衬底上的液相外延生长进行了实验研究.

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 December 1994

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      陈根祥,李洵,简水生. Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在(100)InP衬底上的LPE法生长[J]. 半导体学报(英文版), 1994, 15(12): 844-849.
      Citation:
      陈根祥,李洵,简水生. Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在(100)InP衬底上的LPE法生长[J]. 半导体学报(英文版), 1994, 15(12): 844-849.

      • Received Date: 2015-08-19

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