InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长

Abstract: 为了生长能满足器件制作所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构,1.55μm多量子阱激光二极管(MQW LD)以及两者集成的光发射光电集成电路(OEIC)材料结构。激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ=1.6μm,垒区λ=1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019 cm-3。对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱(PL)和二次离子质谱仪(SIMS)测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。

    HTML

Relative (20)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved