亚微米砷化镓气相双层外延与高阻缓冲层

Abstract: 文中叙述了 6 Gc、12Gc GaAs FET所需双层外延材料的制备工艺,获得了 3—5μm厚高阻缓冲层及 0.2—0.3 μm厚,浓度 1.0—1.5 ×10~。(17)/cm~3,迁移率 4500-4870 cm~2/V·scc的有源层.列出了有无缓冲层的电学数据.材料用于制作FET,在6G_c下噪声系数2.8dB,增益7-9 dB,在 12GC下噪声 3.5 dB增益 4.0 dB. 文中还提出了采用含有AsOCl的AsCl_3来制备高阻缓冲层,文末进行了简短的讨论.

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