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Volume 2, Issue 3, Mar 1981
Table of Content
CONTENTS
用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法
秦国刚, 张玉峰, 杜永昌, 吴书祥, 张丽珠, 陈开茅
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 169-181
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亚微米砷化镓气相双层外延与高阻缓冲层
王永晨, 朱毅敏
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 182-188
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GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光
王守武, 王仲明, 许继宗
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 189-196
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半导体激光器传输特性的理论分析
单永政, 杜宝勋
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 197-211
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质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器
朱龙德, 张盛廉, 汪孝杰, 王莉, 高淑芬
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 212-221
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正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用
江关辉
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 222-233
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脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果
伊藤纠次, 饶德祥, 田村英男, 大久保靖
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 234-239
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用热激电流法测定硅-二氧化硅的界面态
盛篪
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 240-242
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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
于鲲, 孟庆惠, 李永康, 吴灵犀, 陈廷杰, 徐寿定
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 243-246
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四面体键无定形半导体国际会议简讯
陈坤基
Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 247-248
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