GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴

Abstract: 本文首先讨论了GaAs体效应器件中不同阴极凹槽掺杂分布对畴状态的影响,指出当凹槽深度较深时能形成在凹槽处生长然后静止的畴模式,讨论了这类畴的生长过程及其特点,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.

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