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本文使用计算机模拟技术,研究了SOI结构中各部分的电势分布和载流子分布.模拟结果表明:对于有均匀掺杂的P型再结晶硅膜的SOI结构,当硅膜厚度小平相应的最大耗尽层厚度时,会出现“薄体效应”.它表现为:在内层氧化层厚度一定时,再结晶膜愈厚,阈电压愈高;在再结晶膜厚度一定时,内层氧化层愈厚,阈电压愈低,最后达到一个定值,与内层氧化层的厚度无关.正界面电荷进一步降低了由P型再结晶膜构成的SOI结构的阈电压.模拟计算表明,为使SOI结构不出现薄体效应,设计原则就是使适当掺杂的再结晶膜厚度大于最大耗尽层厚度.在硅膜厚度小于最大耗尽层厚度时,为使薄体效应的影响减小,应该采用比较低的硅膜掺杂浓度,比较厚的内层氧化硅层.模拟计算表明,利用薄体效应,可以形成以单晶硅为衬底的,阈电压较低的新型薄膜MOS晶体管.模拟计算还表明,对于薄硅膜的SOI结构,用耗尽层近似推出的阈电压公式是一个简单和比较准确的公式.

用一种新的隧道注入机构,研究了半导体表面耗尽层准二维系统的电子能谱.对Si(100)表面,在室温下,确定出了多达10个以上的子带能量.给出了测量的理论分析和实验方法.实测结果表明,理论与实验符合得相当好.

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.

提高温度稳定性是恒流器件的一个重要而比较困难的问题.本文通过对一种含CRD恒流源的分析,给出温度系数和零温度系数点电流的基本表达式,从而提出解决温度稳定性问题的一种简单而有效的途径. 根据上述原理设计的可调恒流管已作了实验观测.测试结果与理论曲线基本一致.实验表明:该器件的电流温度系数可低于 5 × 10~(-5)/℃,较一般场效应恒流管降低二个数量级;并且,具有低温度系数区比较宽、零温度系数电流可调节等优点.

利用AES分析研究了经不同腐蚀所引起的n-(100)GaAS表面化学组分的差异,同时应用C-V法、I-V法和G-V法测量了在不同化学组分的n-GaAs表面上电镀形成的Ni/n-GaAs肖特基二极管的主要物理参数和Ni/n-GaAs的界面态的位置,俘获截面积及其界面态密度.研究结果表明,n～GaAs表面化学组分的不同直接影响肖特基势垒的高度、结的陡度、结附近载流子浓度分布、理想因子和饱和电流密度等.找到了最佳的腐蚀条件,获得了接近理想的肖特基结;同时还观察到Ni/n-GaAs界面中存在两种类型的界面态:其一界面态密度低,俘获截面积大;其二界面态密度高,俘获截面积小.这两种界面态与肖特基结的性能和势垒形成或费米能级钉扎密切相关.三种不同组分表面的Ni/n-GaAs界面费米能级钉扎的位置在禁带中几乎相同.

本文提出一种微处理器测试程序的编制方法——T分类法,并运用这种方法编制了8080微处理器测试程序,并将部份程序进行了测试.与指令功能分类法相比,应用此法可以节省图案存贮器容量78.5％,适用范围广,有利于故障分析. 本文还介绍了利用建立标准图案单元库的方法在MDR-Z80微型机上实现的半自动图案生成.并探索了全自动图案生成的可能性.

本文报道了一种新型结构激光器——分段压缩平面共腔条形激光器的制造与特性.这种激光器易于实现较稳定的基横模和单纵模运行.

本文首先讨论了GaAs体效应器件中不同阴极凹槽掺杂分布对畴状态的影响,指出当凹槽深度较深时能形成在凹槽处生长然后静止的畴模式,讨论了这类畴的生长过程及其特点,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.

用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为.由引入率与电照能量的关系推断,P_2、P_3两缺陷是与两个以上原子位移有关的缺陷,而不是象E_3、E_4、E_5那样的单原子位移缺陷.5MeV电照下,E_3与E_5的引入率分别是0.5-MeV电照的13倍和9倍,而在这两个能量下,E_4的引入率之比却是55倍.这说明E_4不仅可以由电照直接引入,也可以由较大能量电照产生的某种多位移缺陷的分解而引入.

对模拟共价半导体晶体的集团作了半经验CNDO(全略微分交迭)自洽计算.我们发现,为了使结果能合理地描述晶体的性质,除了需要恰当地选取集团边界原子外,CNDO计算中所用的原子成键参数必须加以重新确定.

一般常用的光子密度速率方程中并没有考虑法布里-珀罗谐振腔的相干增强效应.本文考虑了这个相干增强效应,得到的速率方程是光子密度的非线性微分方程.当谐振腔内光子密度很低时,新得到的经过修正的速率方程与一般常用的速率方程基本一致,但当谐振腔内光子密度较大时,这个修正因素不能被忽视.

本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.

用电子探针微区分析和阴极荧光研究了LPE生长In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)时用逐次降低生长起始温度T_g的方法生长的外延片.结果表明,采用这种方法可以多次使用生长溶液,得到组分一致性比较好的In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)外延片.

<正> 10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光束正入射于上下表面为平行镜面、厚度为Z的硅晶体,若样品载流子浓度介于

本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~+的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系.

对GDa-Si_xC_(1-x):H膜进行高温退火,当退火温度在550℃附近时晶化开始,随退火温度升高晶粒尺寸和晶化范围增大.晶化后的a-Si_xC_(1-x):H膜光吸收系数、光学带隙和电导激活能下降,室温电导率增加.

本文介绍用气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢的总含量及不同温度下氢的释放率,这种方法比过去在氢的热释放实验中采用的气压测定法更可靠.

本文分析了表面热诱导微缺陷与体缺陷的相互作用,确定了表面热诱导微缺陷的主要来源,提出了消除的方法及其在检测漩涡缺陷方面的应用.

用自治LMTO方法算得Ni_3Si化合物的能带结构与LCGO结果符合得相当好;与LCGO结果不同的是:本工作表明离子性对化学键的贡献非常小,在Ni_3Si 中每一Ni原子有10.03个电子,然而,Ni 3d电子却略有减少.Ni 3p电子芯移计算值与Franciosi等实验研究可相比较,表明计算所得电荷转移的大小是合理的.