单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系

Abstract: <正> 10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光束正入射于上下表面为平行镜面、厚度为Z的硅晶体,若样品载流子浓度介于

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