部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

Abstract: 研究了采用向SIMOX圆片埋氧层中注入F离子的方法来改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品的辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生PMOSFET和NMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小NMOSFET中由辐照所产生的漏电流。说明在SOI材料中前后Si/Si02界面处的F可以减少空穴陷阱浓度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力。

    HTML

Relative (20)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved