氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2膜性能的有效方法

Abstract: 本文对超薄热氮化SiO_2膜(~100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,因而,是一种性能优良的超薄介质膜.

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