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Volume 9, Issue 4, Apr 1988

    CONTENTS

  • 交换关联对半导体超晶格等离激元色散关系的影响

    薛登平, 蔡建华

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 339

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    本文用优化的局域密度泛函近似所给出的介电矩阵计算了GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格中等离激元色散关系,得到了对无规相近似的重要修正.

  • 超晶格晶格振动的改进的线性链模型

    夏建白

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 343

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    本文证明了只要考虑了次近邻原子间的力相互作用,线性链模型能够统一地、定量地描述超晶格中声学模和光学模的频率和振动模式.理论结果与实验以及其它精确的理论计算符合较好.最后讨论了喇曼散射的强度.

  • 立方半导体光学声子形变势的LMTO计算方法

    王仁智, 黄美纯

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 352

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    本文采用LMTO-ASA能带计算方法,以冻结声子的近似模型,计算了GaP和GaAs的长波声子光学模单声子形变势.讨论了几种不同的计算方案并同非局域赝势法(NEPM)的计算结果进行了比较.研究表明,LMTO-ASA的各计算方案中与NEPM方法的结果最为接近的是空球跟随相应原子球位移的冻结势计算方案,其结果与实验结果的符合程度不亚于NEPM方法.从而为闪锌矿结构半导体长光学声子形变势的计算提供了一种可行的从头计算方法.

  • Si(111)表面顶位吸附的双心键理论

    钟学富, 邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 358

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    采用双心键理论计算 Si(111)表面上顶位吸附 H、O、F和Cl原子的键长、电荷分配、力常数和局域振动频率,同时用自治键轨道方法计算价带的电子结构,其结果与ab initio和CNDO理论方法得出的基本一致,同O和Cl原子吸附的实验数据也大致相符,从而表明双心键理论可用于顶位原子吸附的研究.

  • InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合

    李玉璋, 岳京兴, 徐俊英, 郑宝贞, 汪孝杰, 庄蔚华

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 364

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    报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T_b以上到室温(255K

  • 蓝紫光范围灵敏的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管

    黄小康, 孙宝寅, 孙成城, 薛保兴, 张培荣

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 373

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    本文在对异质结光晶体管的光电流注入进行理论分析的基础上,采用选择性腐蚀工艺,制出了在蓝紫光波段灵敏的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管,其光谱响应范围为小于4000A到8800A.峰值响应波长为5500A.4000A处的相对响应约为30%,其绝对响应度优于 70μA/μW.

  • n-InSb的磁双光子带间吸收研究

    韦韬, 王学忠

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 380

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    通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.

  • HgCdTe受主能态的非线性吸收光谱

    王威礼, 邢启江, 史守旭

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 388

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    本文介绍用可选支的连续CO_2激光器在低于禁带宽度的谱线范围内研究100K的Hg_(0.785)Cd_(0.215)Te线性与非线性吸收光谱,由受主能态到导带能态的直接跃迁机理成功地解释了实验现象.井由电子和空穴的速率方程导出饱和吸收的表达式.

  • 注砷硅快速热退火过程研究

    徐立, 钱佩信, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 395

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    本文研究砷注入硅后以高频感应石墨作辐射热源的快速热退火过程.实验结果表明,快速热退火过程可分为二个阶段:第一阶段为固相外延再生长.第二阶段为高温消除损伤.

  • 离子注入GaAs MESFET's的有限元二维数值分析

    马秋鸣, 陈敏麟, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 403

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    本文用有限元方法对离子注入 GaAs MESFET’s的稳态特性进行了二维数值模拟和分析,并与均匀掺杂器件作了比较.程序中,对边界条件、网格剖分和初值选取方法进行了改进.所开发的程序可以对不同尺寸、不同掺杂分布的平面栅、凹形栅 GaAs MESFET’s进行二维数值分析,得到其内部电位、电场、载流子浓度等物理量的二维分布和器件的I-V特性.本文还讨论了凹形栅的几何形状对器件内部电场强度的影响.最后,对实际的离子注入凹形栅GaAsMESFET进行了模拟,计算结果与实验数据基本吻合.

  • 氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2膜性能的有效方法

    吾立峰, 熊大菁, 顾祖毅, 靳东明, 刘理天, 何小寅

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 412

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    本文对超薄热氮化SiO_2膜(~100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,因而,是一种性能优良的超薄介质膜.

  • WSi_x薄膜及其与GaAs接触的特性

    翁觉伟, 忻尚衡, 史常忻, 陈益新

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 421

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    本文研究了用RF 溅射法形成之不同化学组份的WSi_x薄膜在退火前后的电阻率和内应力及WSi_x/n-GaAs肖特基接触的特性.结果表明:x的变化对薄膜及肖特基接触特性有严重影响,当x=0.62时.给出可耐800℃退火、具有高温稳定性的WSi_x/n-GaAs肖特基接触(φ_B=0.8eV,n=1.1),并在WSi_x栅自对准GaAs MESFET中取得了应用.

  • Ge在GaAs液相外延中的行为

    杨辉, 梁骏吾

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 429

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    本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与占As位Ge原子的占位比.得到Ge的分凝系数随生长温度降低而增大,占位比Ge_(Ga)/Ge_(As)随生长温度降低而减小.

  • Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延

    陈可明, 蒋维栋, 盛篪, 周国良, 张翔九

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 435

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    用超高真空电子束蒸发系统进行了硅的同质分子束外延.发现采用适当的表面化学处理方法,然后在超高真空中加热,可以在较低温度下(800—814℃)获得清洁和平整的有序表面.Si(100)和Si(111)的外延分别在520℃和714℃进行,外延膜的结构和电学特性良好.

  • 横向电压型压力传感器的磁敏性及其消除法

    齐薇佳, 鲍敏杭, 于连忠

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 439

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    横向电压型压力传感器的几何形状与霍尔器件相同因此也存在有磁敏性.本文用弱场近似的统计理论导出了非均匀掺杂薄层的霍尔电势表式,理论计算与实验结果相当一致.最后,介绍了一种实际上能完全消除磁场对压力传感器影响的方法,得到了很好的结果.

  • 碲化镉肖特基势垒的温度依赖关系

    张世表, 史尚畬

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 443

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    本文通过对Au/n-CdTe肖特基二极管I-V-T测量得出:在室温附近,势垒高度随温度升高而线性增加,增加速率约为 9 ×10~(-4)eV/K.这一结果与 Hattori 等对InP的研究结果一致,

  • 影响GaAs-GaAlAs相位调制器的相位移效率因素的研究

    邬祥生, A.Alping, T.R.Hausken, L.A.Coldren

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(4): 446

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    本文报道了腐蚀脊型GaAs-GaAlAs双异质结相位调制器,研究了反向偏压、测试光源波长和波导层载流子浓度对器件相位移效率的影响,得到了迄今最高的相位移效率的结果.

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