低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响

Abstract: 研究了Si、Al和Si_3N_4等材料的低能(≤ 4keV)Ar~+激发的俄歇电子谱及其 L_(2,3)MM峰-峰值与Ar~+离子激发能量的关系.讨论了Ar~+激发的俄歇电子谱对电子激发的俄歇电子谱的影响.在进行组分深度分布测量时,此干扰一般是不可忽略的.探讨了消除或扣除此干扰的条件.

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