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Volume 4, Issue 5, May 1983

    CONTENTS

  • Hg_(1-x)Cd_xTe混晶中光学声子与电子的相互作用

    唐文国

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 415

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    本文用双格点模型描写Hg_(1-x)Cd_xTe 混晶的双模式光学振动,计算了T=77K时长波TO和LO声子的频率,理论值与实验值符合较好.引入双模式的Callen有效电荷,导出了Hg_(1-x)CdxTe 混晶中光学声子与电子相互作用的矩阵元.对于n型Hg_(?)Cd_(0.2)Te,计算了光学声子散射对自由载流子吸收系数的贡献(T=90K,λ=20μm),并与声学声子散射、电离杂质散射和无序散射进行了比较,结果表明光学声子散射是主要散射机构.

  • 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

    王守武, 郑一阳, 郗小林, 潘国雄, 张进昌

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 422

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    本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.

  • AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定

    邢益荣, W.Ranke

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 432

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    根据界面区俄歇信号随深度变化的测量结果J(x)精确地计算相应的元素浓度的相对变化n(x),其中考虑了入射电子的贯穿深度和俄歇电子的逃逸深度的影响.对SiO_2/Si、SiO_2/GaAs和阳极氧化物/GaAs三种界面的测量结果表明:这种分析不仅给出n(x)与j(x)之间的精确位移,而且当电子的逃逸深度同界面的过渡区厚度相接近时,看到预期的n(x)曲线比J(x)曲线变陡的效果.另外,利用这种分析方法还可确定电子的逃逸深度λ. 对SiO_2测得的结果是:λ(510eV)=26±4A和λ(1619eV)=62±9A.这些数值明显地大于对大量不同材料测得的平均值.

  • 电场对TSIC测量的影响

    谭长华, 许铭真

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 439

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    本文用场增强热激发界面陷阱模型分析了TSIC曲线峰位温度与外加电场强度之间的关系,分析结果表明:用TSIC曲线峰位温度所确定的最可几陷阱深度是有效陷阱深度;用Poole-Frenkel效应解释了有效陷阱深度与电场强度之间的关系;为了确定最可几陷阱深度,实验结果必须做修正,其修正量相当于 Poole-Frenkel降低量,当电场强度为10~6V/cm时,大约为0.386eV.

  • 非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

    张秀淼, 贺国根

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 444

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    本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.

  • GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双区激光二极管的稳态特性

    黄熙, 王启明, 杜宝勋

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 449

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    测量了 GaAs-Al_(0.3)Ca_(0.7)As DH共腔双区激光二极管的稳态输出特性,得到了增益(损耗)曲线;讨论了该器件的阈值电流线及工作特性.

  • 硅中激光退火点缺陷的钝化/消除

    卢励吾, 许振嘉, 蔡田海, 阮圣央

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 455

    Abstract PDF

    利用DLTS证实,经染料脉冲激光退火,红宝石脉冲激光退火和连续Nd:YAG激光退火的硅样品,存在深中心缺陷能级:(Ev + 0.14eV),(Ev + 0.19eV),(Ev + 0.24eV).研究了各种不同的技术以便钝化/消除这些深中心缺陷,其中包括高纯氢、氩气氛下退火,氢等离子体退火和连续CO_2激光退火.实验证明,采用连续CO_2激光退火是较合适的.关于这些深中心缺陷的钝化/消除机理,也进行了讨论.

  • a-Si:H中的原生对复合

    孙钟林, 熊绍珍, 徐温元

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 464

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    本文报道了有关在a-Si:H中能产生明显原生对复合效应的生长条件.在具有这一效应的材料上所测得的光量子效率随外场强变化的关系曲线与由Onsager理论计算曲线是吻合的,仅在高场区有所偏离.由热化距离r_o和热化弛豫时间τ,按关系式r_o=(Dτ)~(1/2)所估算的电子迁移率值与由“渡越时间”法的测量值是很接近的.文章最后对实验结果作了分析和讨论.

  • 一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式

    李金华, 张永恩, 夏日源, 陈鄂生

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 471

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    我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10%、△R_p的差异一般小于15%.

  • 高速台型硅雪崩光电二极管的研制

    代振华, 解金山, 夏应华, 王俊卿

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 477

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    为满足大容量,长距离光纤通信和其它快速微弱光信号的探测,我们采用化学腐蚀和表面钝化技术,研制成功了具有近乎直台角的N~+PP~+硅雪崩光电二极管(MAPD).该器件具有工艺简单,成本低,响应速度快等优点.并且有长期工作的稳定性.文中详细地讨论了器件结构的设计,并概述了制造方法和光电特性.

  • 程序控制液相外延炉

    邹志膺, 萨支天, 邹美琪, 张庆汉, 金奉善

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 484

    Abstract PDF

    本文介绍用于Ⅲ-Ⅴ族半导体液相外延工艺的新炉子、它的主要设计思想和所达到的指标(温度稳定度优于 ±0.03℃/24h,±0.01℃/2h;等温区均匀度优于±0.025℃/400mm;最小降温速率0.05℃/min).它采用高温铂电阻温度计作为温度的测量和反馈元件;在炉膛中央放置一根以钠为工作介质的同轴热管作为均热元件;详细地介绍了三段控制系统的控制器和可编程序的精密定值器.

  • 硅外延层错退火的研究

    蔡田海

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 492

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    本文报道,通过重复腐蚀研究<111>和<100>两种晶向外延硅中层错的退火现象,发现退火后层错的消除并不都是从外延层表面开始的,往往也会发生在外延层中部的面角位错处或层错起源处.透射电镜观察分析表明,不易退火消除的稳定层错是本征型的.

  • 低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响

    梁际翔, 许振嘉, 佘觉觉

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 494

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    研究了Si、Al和Si_3N_4等材料的低能(≤ 4keV)Ar~+激发的俄歇电子谱及其 L_(2,3)MM峰-峰值与Ar~+离子激发能量的关系.讨论了Ar~+激发的俄歇电子谱对电子激发的俄歇电子谱的影响.在进行组分深度分布测量时,此干扰一般是不可忽略的.探讨了消除或扣除此干扰的条件.

  • Al-Si欧姆接触的连续CO_2激光辐照合金化

    陈存礼, 范仁永

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 502

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    本文报道了用连续CO_2激光辐照代替热合金化做Al-Si欧姆接触.由于激光退火具有瞬时退火的特点,避免或是明显地减少导致残结器件失效的Al-Si互扩散现象,从而达到保持良好结特性的欧姆接触.为提高大规模集成电路的集成度提供了一条途径.

  • 剥层椭偏法对As~+注入Si热退火过程的进一步研究

    陈敏麒, 张宏, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 507

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    本文用剥层椭偏光法对As离子注入硅的热退火过程作了较详细的研究.As 离子注入剂量为 5 ×10~(14)cm~(-2),能量为100keV.在300-800℃之间各种不同温度下退火,得到了在这几种温度下固相外延平均速率及复折射率分布的变化.我们发现在各种温度下非晶层的消光系数都变小,尾部的折射率变大.

  • 一个关于砷化镓场效应晶体管稳态特性的新的分析模型

    汪正孝

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 510

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    本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道电阻”出发来分析器件的工作机理.它不仅考虑了砷化镓材料的具有一段负微分迁移率区域的速度场特性,而且考虑了一些实际影响器件性能的因素,如有效的衬底电阻、载流子浓度与迁移率乘积在有源层内的分布等.此外,它还利用了一些二维数值分析的结果.

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