2019年JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”

2020年11月JOS被EI数据库收录

Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 6 > Article Number: 436

Previous Article

|

Next Article

P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性

王瑞忠 , 陈培毅 , 钱佩信 , 罗广礼 , 张镭 , 郑康立 and 周均铭

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

Abstract: 本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。

Search

Share:

Article Metrics

Article views: 1475 Times PDF downloads: 1081 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1997

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2