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Volume 18, Issue 6, Jun 1997

    CONTENTS

  • 匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

    王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 候洵, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 401

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    在国产CBE设备上,用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽(1~18nm)的高质量的In0.53Ga0.47As/InP匹配量子阱结构材料,低温光致发光谱测试结果表明:量子阱材料发光谱峰强且锐,每个阱的激子跃迁峰清晰可辨.当阱宽大于6nm时,阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好;当阱宽小于6nm时,实验值小于理论值;对阱宽相同的窄阱而言,我们样品的实验值高于Tsang的实验值,当阱宽小于4nm时,阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值,表明量子阱的界面具有原子级的平整度;与1nm阱相应的低温光致

  • GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究

    刘兴权, 陆卫, 马朝晖, 陈效双, 乔怡敏, 万明芳, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 408

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    本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测,通过(00)级条纹的RHEED强度分析,直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程,得到了从C(4×4)到α(2×4)的连续相变过程,进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况.

  • LPMOVPE生长GaAs∶C薄膜

    吴惠桢, J Antoszkiewicz

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 412

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    本文用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳GaAs∶C.由于采用了较高衬底温度,GaAs∶C的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下,用铍、锌等常用p型掺杂原子生长的GaAs高;文中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩.

  • 纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

    许怀哲, 朱美芳, 侯伯元, 陈光华, 马智训, 陈培毅

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 417

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    用射频(RF)共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜(nc-Ge/SiO2),观察到了多峰的光致发光现象,发现随着激发光波长的增长,多峰发光谱的最强峰向低能方向移动,但是各子峰的位置不发生改变,而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致.X射线光电子能谱(XPS)分析显示膜中不存在纳米晶硅成分,表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。

  • 高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

    熊飞克, 郭良, 马骁宇, 王树堂, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 424

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    用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力,批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mw,标称工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100000小时,主要技术指标达到目前进口同类产品水平,完全可以满足实用要求。

  • 光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应

    潘栋, 曾一平, 李晋闽, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 431

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    通过包括所有可能的高阶衍射波,本文计算了量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应,发现一维光栅有很宽的光谱范围,可以同时覆盖3~5μm和8~14μm两个波段,这将有益于红外焦平面列阵和双色探测器的设计.同时,文中就光栅深度和沟道宽度对光栅光谱响应的影响作了研究,发现光栅的深度对其光谱响应和耦合效率有明显的影响,存在一个对应最大耦合效率的光栅深度。

  • P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性

    王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信, 罗广礼, 张镭, 郑康立, 周均铭

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 436

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    本文对P+GexSi1-x/P-Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进,并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。

  • 适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片

    战长青, 罗台秦, 刘理天, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 441

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    双金属效应是一种基本的物理效应,这一效应在硅微机械装置上的应用,有力地弥补了硅材料不具备压电效应,电信号难以直接转换为机械驱动力的缺陷。本文将介绍我们研制的铝硅双金属膜片.膜片尺寸为4mm×4mm×(20μm单晶硅+10μm金属铝).实验和分析结果表明,铝硅双金属膜片具有优越的力学特性,能提供足够大的动力和位移。这种集成的单片驱动结构不仅在材料及工艺上与IC工艺完全兼容,而且通过调整有关结构参数及工艺参数,可使该结构在5伏电压下稳定工作,为实现硅微机械系统(MEMS)奠定了基础.这种驱动方式是目前制造微阀门、微流量泵等需要大

  • 汤姆孙效应对半导体制冷器性能的影响

    吴丽清, 陈金灿, 严子浚

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 448

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    本文应用非平衡态热力学理论建立了热电器件的热传导方程,导出半导体制冷器的制冷系数和制冷率,并详细地讨论了汤姆孙效应对制冷器性能的影响,得到了一些有意义的新结论,同时澄清了有关研究中普遍存在的一些问题。

  • 硅双极晶体管的低温h_(FE)

    林兆军, 薄仕群

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 454

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    低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M.影响γ的是禁带收缩和基区费米能级.M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应,以上观点与实验结果基本相符合。

  • 非工作期微电路的可靠性预计模型研究

    莫郁薇

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 460

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    通过分析影响非工作期微电路可靠性的主要因素,采用大量的现场和试验数据进行归一化-线性化-回归分析,研究各主要影响因素与微电路非工作期失效率的定量关系,进而建立可靠性预计模型,该模型预计的失效率与电子设备非工作现场失效率比较,初步验证结果良好。

  • 注F场氧介质总剂量辐照的研究

    张国强, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良, 赵元富, 胡浴红

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 466

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    分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性,结果表明,由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用,导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连,而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。

  • 50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长

    潘栋, 曾一平, 吴巨, 王红梅, 李晋闽, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 470

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    在本文,我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层(x~0.01),有效地限制了50周期的In0.3Ga0.7As/GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错,X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质量明显改善,可以观察到12级卫星峰,而在没有这个缓冲层的样品上只能观察到3个衍射卫星峰.透射电子显微镜上观察到产生的位错被限制在这个缓冲层中或弯曲进入了衬底而没有进入所需要的外延层。

  • 定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

    王万录, 张振刚, 廖克俊, 吴彬, 张世斌, 廖梅勇

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 474

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    本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应,实验研究表明,这种膜的压阻因子在200微应变,室温下约为1300.其值大大超过了单晶硅的相应值,这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法,文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因.

  • Amplifier Modulation for Low-Chirp From a Monolithic Strained-Layer MQW InGaAsP/InP Distributed-Feedback-Laser/Tappered Amplifier

    王志杰, 曾汉奇, 姜子平, 王圩, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 478

    Abstract PDF

    Although electroabsorption modulators integrated with distributed feedback(DFB)' lasers can produce low—chirp high—speed modulated output,they have the disadvantages of requiring complicated selective growth and producing only modest output power.Integrated optical amplifie...

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