Chin. J. Semicond. > Volume 8 > Issue 6 > Article Number: 643

GaAs(100)表面成分的变化引起费米能级钉扎位置变动的一种新解释

张翔九

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Abstract: Sb与GaAs(100)所构成的肖特基势垒的高度随GaAs表面成份的改变有很大的变化,这意味着GaAs费米能级的钉扎位置有了变动.这一现象难以直接用已有的金属与半导体接触的理论来解释.本文将把Bardeen关于费米能级为表面态所钉扎理论中的表面中性能级的概念加以拓广,从而对上述的现象提出一个新的解释.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1987

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