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Volume 8, Issue 6, Jun 1987

    CONTENTS

  • 一维超晶格的子能带和光跃迁

    夏建白, 黄昆

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 563

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    用有效质量理论讨论了无限势阱和有限势阱中一维量子阱和超晶格的子能带和光跃迁.计算了势阶宽度W_x和W_y不同比值下,无限势阱中空穴的无量纲量子能级以及有限势阱中的两组空穴子带.讨论了准—维情形(W_x《W_y)和一维情形(W_x≈W_y)下量子能级的性质和光跃迁的选择规律.

  • 超晶格电子结构的赝势计算

    夏建白, A.Baldereschi

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 574

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    本文提出了一个用赝势计算长周期超晶格的方法.检验了超晶格子能级对g,G和ψ数目的收敛性,利用11个g和10个ψ就能得到收敛性很好的结果.还考虑了自旋轨道耦合效应以求得空穴子能带.结果与其它理论方法作了比较.得到了超晶格量子态的真实波函数,并严格地计算了光学跃迁矩阵元.

  • 适用于VLSI CAD的非均匀掺杂小尺寸MOSFET阈值电压模型

    王建伟, 阮刚

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 585

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    本文讨论了目前使用的MOSFET阈值电压模型的局限性,尝试了用分段近似法求解非均匀掺杂MOSFET的阈值电压,在此基础上提出了一个新的模型公式.它能反映非均匀掺杂MOSFET 阈值电压衬偏特性;不仅适用于浅注入,而且适用于深注入情况;不仅适用于长沟道,而且适用于小尺寸器件.此模型的计算结果同数值分析器MINIMOS的有关计算值相比,符合得很好.该模型公式特别适用于 VLSI CAD.

  • 漏轻掺杂MOSFET的特性分析及其解析模型

    谢连生, 陈学良, 徐元森

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 597

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    制作了1μm沟道长度 LDD nMOSFET,其衬底电流较常规结构的 MOSFET降低了两个数量级,击穿电压提高了5伏.此外,还建立了包括热电子速度饱和和串联电阻在内的LDDMOSFET解析模型.

  • 用于宏单元阵列的自动布局算法

    于泓涛, 洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 604

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    本文针对宏单元阵列的特点,提出了构造布局和布局改善同时进行的布局算法和以布局均匀和信号网分布均匀为主要目标的多目标布局评价函数.它在布局过程中就考虑到布局对布线的影响,并自始至终地把总体布线的思想恰如其份地和布局问题结合起来.另外,比以在的算法增加了以局部区域通道布线密度下降为目标的通道布线密度均匀化处理,从而极大地减少了由于局部区域拥挤而造成整个布图失败的可能性.实用结果表明该算法的布局效果是良好的.

  • 双极晶体管表面1/f噪声的研究

    庄奕琪, 孙青

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 614

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    本文从表面载流子数涨落机构出发,建立了双极晶体管表面i/f噪声电流的完整理论关系式.测量了噪声与双极晶体管的基区表面势、表面复合电流、发射区周长和电流放大系数等主要参数的依赖关系.理论规律与实验结果符合良好.

  • Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统特性研究

    陈正明, 徐建良, 罗晋生, 沈文正

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 625

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    本文用AES法结合I-V、C-V等测量研究了Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统的特性,结果表明:该系统的钛层中有部分钛在溅射过程中被氧化;在热处理过程中,Ti及其氧化物作为阻挡层较Mo更稳定.Ti、Mo作为阻挡层经500℃以及500℃以下温度的退火时,PtSi-Si肖特基结的特性可保持稳定,退火温度到600℃时,Al开始在阻挡层比较薄弱的地方通过阻挡层到达Si界面,使阻挡层破裂并失效. 此外还用AES法分析了PtSi-Si结构的样品,结果表明:原Si片表面的天然氧化层最终分散在形成的硅化铂内,Si可能是形成大部分PtSi的扩散元.

  • As~+注入SOI的快速热退火研究

    林成鲁, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 631

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    CW Ar~+激光再结晶的 SOI薄膜中注入能量为100keV,剂量为1×10~(13)-1×10~(16)cm~(-2)_的As~+,然后以高频感应的石墨加热器进行快速热退火.退火时As的表面损失可以用氮气保护加以抑制.用RBS、SIMS结合扩展电阻测试等技术研究了杂质在SOI材料中的扩散行为.在一定的退火条件下,原子浓度与载流子分布出现双峰,这是杂质在晶粒内部的慢扩散与沿晶粒边界的快扩散两种不同的扩散机制形成的.

  • 利用有色散双晶衍射测量完整或近完整晶体的单晶反射系数

    陈京一, 李润身, 许顺生

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 637

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    用DuMond图解法分析了各种不同排列双晶摆动曲线的形成机理.提出了用有色散的双晶衍射,测量完整或近完整晶体单晶反射系数的方法,并进行了计算机模拟和实验验证.

  • GaAs(100)表面成分的变化引起费米能级钉扎位置变动的一种新解释

    张翔九

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 643

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    Sb与GaAs(100)所构成的肖特基势垒的高度随GaAs表面成份的改变有很大的变化,这意味着GaAs费米能级的钉扎位置有了变动.这一现象难以直接用已有的金属与半导体接触的理论来解释.本文将把Bardeen关于费米能级为表面态所钉扎理论中的表面中性能级的概念加以拓广,从而对上述的现象提出一个新的解释.

  • 半导体激光器的高频调制光相位不均匀效应

    郭长志, 赵一广

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 650

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    从理论上分析了半导体激光器的调制光相位不均匀效应(PIE)的物理机制及其与波导机制、结构、材料参数和工作条件等的关系.指出了克服PIE的可能途径.

  • MeV He~+微束用于半导体集成电路的微区分析

    朱沛然, 刘家瑞, 张敬平, 殷士端

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 657

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    本文介绍了我国用于微区分析的MeV离子微探针设备及其在半导体集成电路中的应用,能量为2MeV的He~+束通过一套限束系统,然后由四单元四极磁透镜聚焦到样品表面的束直径为3μm,束流为300pA.利用该设备分析了半导体集成电路中几个不同区域的元素成份及深度分布.

  • n-InP中深能级的研究

    胡冰华, 周炳林

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 660

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    本文主要利用夹有薄氧化层、势垒高度约为0.65eV的Au/InP肖特基势垒来研究未掺VPE n-InP、未掺及轻掺Fe InP体材料中的深能级.共测到七个电子陷阱和两个空穴陷阱,对其中两个电子陷阱进行了详细的研究.我们在掺Fe晶体中测到一个电子发射激活能为0.69eV的电子陷阱,考虑到其中包含有0.050eV的俘获势垒,则能级值应为0.64eV,这与用Hall方法在掺Fe半绝缘材料中发现的0.65eV能级较一致,所以我们认为该能级与铁有关.另外在所有的材料中都存在0.62eV的电子陷阱,估计该能级与本征缺陷有关.

  • 硅中注铅的连续CO_2激光退火行为

    殷士端, 张敬平, 顾诠, 陆珉华

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 665

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    在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火处理能消除以剂量1×10~(15)/cm~2注入形成的损伤,而当剂量为5×10~(15)/cm~2时,在超过溶解度的高杂质浓度区,外延生长受到阻挡.再生长终止以后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向外扩散.

  • As-Se非晶态半导体的结构弛豫对光电导光强关系及瞬态过程的影响

    陈玲荣, 闵嗣桂

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(6): 670

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    本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性等反常现象.作者用As-Se非晶态半导体的结构弛豫与缺陷组态间的关系进行分析,解释了实验结果.

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