Chin. J. Semicond. > Volume 4 > Issue 2 > Article Number: 181

大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析

张冠生 , 唐厚舜 , 黄杜森 , 余夕同 , 赵国珍 and 钮成法

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Abstract: 用高频辉光放电产生氧等离子体进行GaAs阳极氧化,直径40mm的晶片上可生长出均匀的无定形氧化膜,击穿电场强度±10~6V·cm~(-1),电阻率 10~(15)Q-cm,折射率1.83-1.85(λ=6328(A|°)). 根据AES-XPS的分析,刚生长的阳极氧化层,沿深度可分为三层,第一是缺砷层,靠近表面,厚度~100(A|°);第二层是中心区,组成几乎不随深度变化,Ga/As原子比1.2—1.6,用XPS发现此层的As为未氧化的砷和As_2O_3的砷,第三层是从氧化物到GaAs的过渡区,氧浓度开始下降,此层富砷,而且存在元素砷.在300℃氮氛下退火一小时,可得到过渡区变薄且组成匀一的层.

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1983

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