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Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 11 > Article Number: 811

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掺氧非晶硅的正电子寿命研究

史志强 , 刘克源 , 王学恩 , 刘兴胜 and 杨子强

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Abstract: 在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响．

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1997

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