Chin. J. Semicond. > Volume 4 > Issue 6 > Article Number: 526

原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究

何宏家 , 曹福年 , 范缇文 , 白玉珂 , 费雪英 , 王凤莲 and 褚一鸣

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Abstract: 本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×10~(15)cm~(-3)时,微缺陷才出现.从微观完整性言,Si是GaAs的N型掺杂剂中较好的一种.

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1983

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