Chin. J. Semicond. > Volume 10 > Issue 1 > Article Number: 47

晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究

戴逸松

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Abstract: 本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 January 1989

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