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Volume 10, Issue 1, Jan 1989

    CONTENTS

  • ZnSe_(1-x)S_x中3d过渡金属杂质施主能级

    顾一鸣, 黄明竹, 汪克林

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 1

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    本文用一个自旋极化的自洽紧束缚格林函数方法预言了ZnSe_(1-x)S_x合金系统中Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu等9个3d过渡金属杂质引入的施主能级.文中还就与施主能级变化趋势有关的物理问题进行了讨论.

  • 硅表面原子芯态能级的化学位移

    邢益荣, 钟学富

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 8

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    本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明了利用这种方法研究芯能级结合能的位移是行之有效的.

  • In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

    殷士端, 吴春武, 张敬平, 刘家瑞, 朱沛然

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 12

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    本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生长方向产生~0.04A的拉伸或压缩,于是离子沟道在<110>倾斜方向发生0.9°的扭折,导致沿这个方向的严重退道.对较厚外延层的样品,除应变结构外,在生长过程中还形成失配位错结构及其他点阵缺陷,从而产生附加的退道。

  • SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

    吴凤美, 沈德勋, 滕敏康, 陈岭, 唐杰, 张德宏

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 18

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    用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.

  • Pt-Si界面的椭偏光谱响应及PtSi的光学性质

    陈土培, 黄炳忠

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 24

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    本工作利用椭偏光谱法研究Pt-Si系统的界面状况,结果指出,未经任何热处理的Pt/n-Si样品的界面上存在着一性质上异于Si衬底和Pt膜的界面层,但经700℃退火(固相反应)形成硅化物PtSi后,原来的界面层消失.另外,由椭偏光谱测量,本工作获得了PtSi薄膜的光学性质,这些光学性质可由Lorentz-Drude模型而得到比较好的解释,该模型包含了三项具有不同的共振能量的束缚电子项及一项自由电子项的贡献.

  • VLSI中双层布线导孔数的优化算法

    李英梦, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 31

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    在超大规模集成电路的设计中,通常需要尽可能地减少布线时产生的导孔,因为导孔数是影响集成电路成品率、可靠性及各种电性能的重要因素.本文的工作是解决VLSI双层金属布线的导孔数优化问题.实际的布线根据其拓扑特性和电连通性等效为带权的图.将这种方法推广到三联和四联导孔的情形,并引入了添加冗余导孔的方法以进一步减少导孔的数目.最后给出了对变权图求最大偶子图的算法,以便对三联及四联情形的导孔进行优化.算法实现后试算的实例表明一般能减少30%-50%的导孔.

  • CEXTOR——一个适合MOS集成电路工艺的电路提取程序

    朱华, 唐璞山, 章开和, 凌燮亭

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 39

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    本文描述了一个用于MOS集成电路工艺的电路提取程序CEXTOR.CEXTOR将集成电路的版图自动地转换为适合作精确电路模拟的电路描述.该程序能进行内部连接电阻,内部节点电容和晶体管尺寸的计算.本文提出的由矩形局部替代任意多边形的技术和连接与电阻同时提取的方法都改善了电路提取的速度.目前,CEXTOR已由FORTRAN-77编制程序,并在PCS,QU-68000计算机上实现.

  • 晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究

    戴逸松

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 47

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    本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释.

  • 全集成式流量传感器

    黄金彪, 李斌, 童勤义, 周明

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 55

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    本文介绍了利用恒定芯片温度原理工作的全集成式流量传感器,它由三部分组成.CMOS温度敏感级、CMOS运放和加热部分,这三部分由CMOS工艺集成在同一芯片上,不需附加工艺.本文在给出温度敏感级的理论分析和流量传感器工作原理的介绍后,报道了传感器用于气体流速(氮气)和液体(水)流速的测量结果,结果表明,该传感器具有如下特点:输出电平和灵敏度高(在传感器芯片温度T_c与流体温度了T_f之差为15℃、流速V_f为50cm/s的氮气条件下,传感器的输出可达500毫伏);响应时间快(在T_c-T_f=5℃、V_f=50cm/s时,响应时间为7秒);芯片尺寸小(2.02×1.62mm~2);成本低(因用普通工艺);用单5伏电源工作与微处理机自然接口等.对水流流速的试验还表明,该传感器特别适合于低流速水的测量.

  • 采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压

    汪正孝

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 62

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    本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=(V_T)_R-(V_T)_M的实测值曲线.最后对结果进行了讨论.

  • 利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件

    郑一阳

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 67

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    本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式的器件将能得到更广泛的应用.

  • 激光结晶a-Si:H SOI离子注入和快速退火

    顾清, 鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 72

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    本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度.

  • 太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测

    蒋四南, 范缇文, 李成基, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 76

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    本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的.

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