Issue Browser
Volume 9, Issue 6, Jun 1988
CONTENTS
InGaAs-GaAs应变量子阱的光学性质
徐仲英, 许继宗, 葛惟锟, 郑宝真, T.G.Andersson, Z.G.Chen
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 563-569
Abstract PDF

八毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频管
王良臣, 方浦明, 郑东
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 570-577
Abstract PDF

工艺模型参数的优化提取和MICPOS工艺模拟程序
郑颖, 夏武颖
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 578-585
Abstract PDF

薄膜生长及界面结构的计算机模拟
田民波, 王英华, 梁春富
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 586-595
Abstract PDF

一个基于整体优化分析的区域布线算法——DRAFT
应昌胜, 洪先龙, 王尔乾
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 596-603
Abstract PDF

(Si)_(2n)/(Si_(1-x)Ge_x)_(2n)(100)形变层超晶格的电子结构
沈丁立, 张开明
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 604-613
Abstract PDF

聚合物半导体聚乙炔的热激电流谱研究
袁仁宽, 黄振春, 郑有炓, 曹阳, 孙鹤才
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 614-620
Abstract PDF

半导体条形DH激光器中本征自脉动的精确理论
郭长志, 丁凡
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 621-629
Abstract PDF

半导体条形DH激光器在高速调制下光相位分布不均匀效应的精确理论
郭长志, 丁凡
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 630-639
Abstract PDF

一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化
尤伟, 徐元森, 郑养鉥
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 640-647
Abstract PDF

氧化铁气体传感器研究II.α- Fe_2O_3气敏特性
曾桓兴, 王弘, 沈瑜生
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 648-653
Abstract PDF

计算半导体中杂质能级的分区变分方法
薛舫时
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 654-664
Abstract PDF

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器
肖建伟, 薄报学, 衣茂斌, 马玉珍, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 665-667
Abstract PDF

非晶InP薄膜的光学性质与退火效应
陈树光, 黎锡强
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 668-670
Abstract PDF

远紫外无显影光刻催化剂及工艺探讨
韩阶平, 侯豪情
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 671-673
Abstract PDF

硅中注入氢后形成的稳定性缺陷
李建明
Chin. J. Semicond.  1988, 9(6): 674-675
Abstract PDF