Chin. J. Semicond. > Volume 19 > Issue 11 > Article Number: 829

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

孙鲁 , 张树霖 , 张录 , 关旭东 and 韩汝琦

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Abstract: p-/p+型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义,我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件,在p-/p+型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后,在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了800℃高温退火处理.通过测量样品的光致发光谱,研究了样品衬底离子注入浓度,阳极氧化条件及后处理条件等对p-/p+型多孔硅样品发光的影响,为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件,提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据

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Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1998

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