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Volume 19, Issue 11, Nov 1998

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缓变波导对半导体光放大器TE_0和TM_0模式增益差的影响

陈昌华, 徐俊英, 陈良惠, 王启明

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 801-805

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 801.

陈昌华, 徐俊英, 陈良惠, 王启明. 缓变波导对半导体光放大器TE_0和TM_0模式增益差的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 801..Export: BibTex EndNote

陈昌华, 徐俊英, 陈良惠, 王启明. 缓变波导对半导体光放大器TE_0和TM_0模式增益差的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 801...

CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能

刘魁勇, 邢金海

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 806-811

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 806.

刘魁勇, 邢金海. CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 806..Export: BibTex EndNote

刘魁勇, 邢金海. CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 806...

压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用

贾松良, 朱浩颖, 罗艳斌

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 812-817

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 812.

贾松良, 朱浩颖, 罗艳斌. 压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 812..Export: BibTex EndNote

贾松良, 朱浩颖, 罗艳斌. 压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 812...

应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱

史向华, 柯练, 靳彩霞, 魏彦峰, 凌震, 俞根才, 王杰

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 818-823

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 818.

史向华, 柯练, 靳彩霞, 魏彦峰, 凌震, 俞根才, 王杰. 应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 818..Export: BibTex EndNote

史向华, 柯练, 靳彩霞, 魏彦峰, 凌震, 俞根才, 王杰. 应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 818...

MgSe薄膜的相结构研究

廖清华, 彭学新, 熊传兵, 刘念华, 范广涵, 江风益

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 824-828

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 824.

廖清华, 彭学新, 熊传兵, 刘念华, 范广涵, 江风益. MgSe薄膜的相结构研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 824..Export: BibTex EndNote

廖清华, 彭学新, 熊传兵, 刘念华, 范广涵, 江风益. MgSe薄膜的相结构研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 824...

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

孙鲁, 张树霖, 张录, 关旭东, 韩汝琦

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 829-833

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 829.

孙鲁, 张树霖, 张录, 关旭东, 韩汝琦. 与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 829..Export: BibTex EndNote

孙鲁, 张树霖, 张录, 关旭东, 韩汝琦. 与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 829...

一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法

杨晓东, 田立林, 陈文松

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 834-840

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 834.

杨晓东, 田立林, 陈文松. 一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 834..Export: BibTex EndNote

杨晓东, 田立林, 陈文松. 一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 834...

有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究

马瑾, 赵俊卿, 李淑英, 马洪磊

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 841-845

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 841.

马瑾, 赵俊卿, 李淑英, 马洪磊. 有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 841..Export: BibTex EndNote

马瑾, 赵俊卿, 李淑英, 马洪磊. 有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 841...

热载流子简并效应研究

孔军, 杨之廉

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 846-850

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 846.

孔军, 杨之廉. 热载流子简并效应研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 846..Export: BibTex EndNote

孔军, 杨之廉. 热载流子简并效应研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 846...

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

孙自敏, 刘理天, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 851-856

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 851.

孙自敏, 刘理天, 李志坚. 深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 851..Export: BibTex EndNote

孙自敏, 刘理天, 李志坚. 深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 851...

半导体桥(SCB)的研究

周蓉, 岳素格, 秦卉芊, 张玉才, 胡思福

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 857-860

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 857.

周蓉, 岳素格, 秦卉芊, 张玉才, 胡思福. 半导体桥(SCB)的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 857..Export: BibTex EndNote

周蓉, 岳素格, 秦卉芊, 张玉才, 胡思福. 半导体桥(SCB)的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 857...

Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响

李观启, 曾勇彪, 王剑飞, 黄美浅, 曾绍鸿

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 861-864

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 861.

李观启, 曾勇彪, 王剑飞, 黄美浅, 曾绍鸿. Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 861..Export: BibTex EndNote

李观启, 曾勇彪, 王剑飞, 黄美浅, 曾绍鸿. Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 861...

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

李国华, 韩和相, 丁琨, 汪兆平, 段树坤

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 865-870

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 865.

李国华, 韩和相, 丁琨, 汪兆平, 段树坤. 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 865..Export: BibTex EndNote

李国华, 韩和相, 丁琨, 汪兆平, 段树坤. 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 865...

GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究

牛智川, 袁之良, 周增圻, 徐仲英, 王守武

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 871-876

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 871.

牛智川, 袁之良, 周增圻, 徐仲英, 王守武. GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 871..Export: BibTex EndNote

牛智川, 袁之良, 周增圻, 徐仲英, 王守武. GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 871...

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

刘英坤, 杨增敏, 郎秀兰, 王占利, 何玉樟, 吕仲志, 李勇, 周晓黎

Chin. J. Semicond. 1998, 19(11): 877-880

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1998, 19(11): 877.

刘英坤, 杨增敏, 郎秀兰, 王占利, 何玉樟, 吕仲志, 李勇, 周晓黎. 400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 877..Export: BibTex EndNote

刘英坤, 杨增敏, 郎秀兰, 王占利, 何玉樟, 吕仲志, 李勇, 周晓黎. 400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 1998, 19(11): 877...

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