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Volume 19, Issue 11, Nov 1998
Table of Content
CONTENTS
缓变波导对半导体光放大器TE_0和TM_0模式增益差的影响
陈昌华, 徐俊英, 陈良惠, 王启明
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 801-805
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CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能
刘魁勇, 邢金海
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 806-811
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压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用
贾松良, 朱浩颖, 罗艳斌
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 812-817
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应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
史向华, 柯练, 靳彩霞, 魏彦峰, 凌震, 俞根才, 王杰
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 818-823
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MgSe薄膜的相结构研究
廖清华, 彭学新, 熊传兵, 刘念华, 范广涵, 江风益
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 824-828
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与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究
孙鲁, 张树霖, 张录, 关旭东, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 829-833
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一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法
杨晓东, 田立林, 陈文松
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 834-840
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有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究
马瑾, 赵俊卿, 李淑英, 马洪磊
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 841-845
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热载流子简并效应研究
孔军, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 846-850
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深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计
孙自敏, 刘理天, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 851-856
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半导体桥(SCB)的研究
周蓉, 岳素格, 秦卉芊, 张玉才, 胡思福
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 857-860
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Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响
李观启, 曾勇彪, 王剑飞, 黄美浅, 曾绍鸿
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 861-864
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生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
李国华, 韩和相, 丁琨, 汪兆平, 段树坤
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 865-870
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GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
牛智川, 袁之良, 周增圻, 徐仲英, 王守武
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 871-876
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400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管
刘英坤, 杨增敏, 郎秀兰, 王占利, 何玉樟, 吕仲志, 李勇, 周晓黎
Chin. J. Semicond.  1998, 19(11): 877-880
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