Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 2 > Article Number: 97

用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究

金海岩 and 黄长河

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Abstract: 二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上,膜厚在0.1~1μm之间.本文考察了温度对生长速率的影响,其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系,并通过作图求出钛源的活化能Ea=1.05eV.TEM测试结果表明,生成的二氧化钛是多晶膜,为锐钛矿结构.将样品作XPS分析,测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少,进一步研究表明,二氧化钛是n型半导体,它的电阻率随钛三价离子的减少而增大.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1997

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