Chin. J. Semicond. > Volume 11 > Issue 3 > Article Number: 238

嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析

李国华 , 梁基本 , 韩和相 , 汪兆平 and 孔梅影

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Abstract: 对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射谱和光致发光谱与普通平面Si片上生长的GaAs层的基本相同,证实嵌入式生长可以得到与通常平面生长基本相同的质量。仔细的分析表明随着微区尺寸的减小GaAs层的无序程度有少许增长。

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 March 1990

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