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Volume 11, Issue 3, Mar 1990
Table of Content
CONTENTS
MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析——I.ZnS_xSe_(1-x)体系
陆大成
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 163-169
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掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究
彭承, 李建林, 陆峻, 孙恒慧
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 170-175
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Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振
王笑军, 张新夷
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 176-181
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Ge中热空穴输运的格林函数方法
唐刚, 徐婉棠
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 182-192
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TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究
傅广生, 董丽芳, 李晓苇, 韩理, 张连水, 吕福润
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 193-201
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GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制
朱龙德, 能飞克, 王启明, 陈正豪, 谢苑林, 顾世杰
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 202-209
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与光探测器单片集成双稳半导体激光器的特性
晏绪光, 稻埸文男
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 210-214
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衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响
卢志恒, 李素杰, 张朝明, 罗晏, 张荟星
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 215-220
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砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为
汪光裕, 邹元燨, S.Benakki, E.Christoffel, A.Goltzene, B.Meyer, C.Schwab
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 221-226
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一种带权动态调整的总体布线算法及其实现
王维丽, 洪先龙
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 227-232
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GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料电子态研究
沈静志, 徐至中
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 233-237
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嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析
李国华, 梁基本, 韩和相, 汪兆平, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 238-242
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