Abstract: <正> 继钆(Gd)、钯(Pd)之后,我们在实验上又观察到铑(Rh)是另一类具有特殊界面效应的金属杂质.首先,掺Rh样片的高频和准静态C-V曲线均相对于无Rh控制样片发生了明显的沿正压方向的平移.说明所引入的Rh在硅中的扩散很快,在所用条件下已经到达Si/SiO_2界面并与该处的正电性缺陷中心(D)发生了互作用致使界面有效正电荷密度减小.其次,掺Rh后的C-V曲线,无论高频或准静态,均较无Rh控制片略低.这一点与掺Au后的曲线相反,而与掺Gd、Pd的情况类似,没有出现补偿作用引起串联电阻升高,使掺Au片C-V曲线“压扁”那样的现象.