Chin. J. Semicond. > Volume 16 > Issue 8 > Article Number: 574

GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心

马红,杨锡震,周洁,卢励吾,封松林

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Abstract: 采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zr在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和价带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究.结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 August 1995

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