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Volume 16, Issue 8, Aug 1995
Table of Content
CONTENTS
像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
张向东，李有成，孙小均，魏成文
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 561-566
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纳米硅薄膜分形凝聚模型
林鸿溢，余卫武，武旭辉，何宇亮
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 567-573
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GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
马红，杨锡震，周洁，卢励吾，封松林
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 574-580
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金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
赵家龙，高瑛，刘学彦，苏锡安，梁家昌，高鸿楷，龚平，王海滨
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 581-586
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表面势阱对硅场发射的影响
黄庆安
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 587-593
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热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究
杨玉琨，李文明，于磊，杨易，徐立兴，熊欣，王善力，黄和鸾
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 594-597
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低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器
徐遵图，杨国文，肖建伟，徐俊英，张敬明，郑婉华，瞿伟，陈良惠，毕可奎
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 598-602
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Ga－In－As－Sb系合金固－液平衡和人工神经网络预报
严六明，吴伟，张靖巍，陈念贻，彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 603-607
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微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究
杨德仁，阙端麟
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 608-610
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非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布
林绪伦，朱恩均
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 611-617
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硅片的抗弯强度及其测量
谢书银，石志仪
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 618-622
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Ⅰ类－Ⅱ类混合GaAs／AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
刘伟，罗克俭，江德生，张耀辉，杨小平
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 623-626
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高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
杨国文，肖建伟，徐遵图，郑婉华，曾一平，徐俊英，张敬明，陈良惠
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 627-631
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Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱
石晓红，陈忠辉，黄醒良，史国良，刘普霖，沈学础
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 632-635
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形成SIMOX结构的PIII新技术的研究
闵靖, P.K.Chu, Y.C.Cheng, J.B.Liu, S.Iyer, N.W.Cheung
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 636-640
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