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Volume 16, Issue 8, Aug 1995

    CONTENTS

  • 像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响

    张向东,李有成,孙小均,魏成文

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 561

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    在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的.

  • 纳米硅薄膜分形凝聚模型

    林鸿溢,余卫武,武旭辉,何宇亮

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 567

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    从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.

  • GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心

    马红,杨锡震,周洁,卢励吾,封松林

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 574

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    采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zr在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和价带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究.结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.

  • 金属有机化学气相沉积GaAs/Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

    赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌,高鸿楷,龚平,王海滨

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 581

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    本文测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上生长的GaAs外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系,系统地研究了1.13和1.04eV发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随着温度的变化关系,获得了它们的热激活能,Huang-Rhys因子,振动声子能量和Frank-Condon位移,并讨论其来源.

  • 表面势阱对硅场发射的影响

    黄庆安

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 587

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    本文比较了半导体硅与金属场发射过程的差别,建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程.用WKB近似,求出了硅场致发射的电流-电场关系.

  • 热壁外延制备的n-PbTe/p-Si异质结特性研究

    杨玉琨,李文明,于磊,杨易,徐立兴,熊欣,王善力,黄和鸾

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 594

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    本文报道了首次用热壁外延(HWE)方法,在Si(100)衬底上,制备n-PbTe/p-Si异质结的工艺及测试结果.由X-射线衍射谱确认,PbTe外延层是单晶,I-V曲线表明,该异质具有良好的整流特性.由C-V测量得到异质结的内建电势差.最后算出能带偏移.

  • 低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

    徐遵图,杨国文,肖建伟,徐俊英,张敬明,郑婉华,瞿伟,陈良惠,毕可奎

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 598

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    本文报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果.我们采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子阱激光器,器件的阈值电流低于10mA,最低值为7.3mA,而且实现了基横模工作,这是国内报道的该结构激光器的最好水平.

  • Ga-In-As-Sb系合金固-液平衡和人工神经网络预报

    严六明,吴伟,张靖巍,陈念贻,彭瑞伍

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 603

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    本文用DTA法测量了Ga-In-As-Sb系合金的液相线温度,并用滑舟法在Gash衬底上生长液相外延膜,并用电子探针法分析膜的成分.在此基础上利用实验数据和文献数据训练人工神经网络模型,神经网络模型用交叉检验法测试是否过拟合.经测试合格的神经网络可以预报液相线温度和外延层组成.

  • 微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究

    杨德仁,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 608

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    利用低温(8K)远红外吸收技术,研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响,指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力,而微氮硅中的浅热施主和氧-氮复合体直接相关。

  • 非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布

    林绪伦,朱恩均

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 611

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    本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构,计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布,并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线.这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管的性能的提高.

  • 硅片的抗弯强度及其测量

    谢书银,石志仪

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 618

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    研究了硅片抗弯强度,提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法,讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准.

  • Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽

    刘伟,罗克俭,江德生,张耀辉,杨小平

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 623

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    我们在Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累.利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献,发现低温下随着载流子密度的增加,载流子散射导致的激子展宽随之增加,在一定激发光强下光荧光谱上出现77K激子线宽大于室温激子线宽的现象.我们根据载流子对激子态的散射理论进行了计算,发现实验结果和理论预言符合得很好。

  • 高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

    杨国文,肖建伟,徐遵图,郑婉华,曾一平,徐俊英,张敬明,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 627

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    通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料.

  • Si_(1-x)Ge_x合金的浅杂质光电导谱

    石晓红,陈忠辉,黄醒良,史国良,刘普霖,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 632

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    在4.2—50K温度范围内研究了直拉法生长的富含Si的Si(1-x)Gex合金的浅杂质光电导谱,首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到p3/2价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋-轨道分裂带(p1/2价带)相联系折光电导过程,并由此确定了硼杂质的电离能.结果表明,低锗组分下,Si(1-x)Gex合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化.

  • 形成SIMOX结构的PIII新技术的研究

    闵靖, P.K.Chu, Y.C.Cheng, J.B.Liu, S.Iyer, N.W.Cheung

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 636

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    本文报道了一种形成SIMOX结构的等离子体浸没离子注入(PIII)的新技术.与传统的离子注入相比,这种新技术具有高离子束流,大面积离子注入,极短的注入时间和低成本等优点.实验中,衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中.在衬底所加的负高压的作用下,氧离子直接注入硅片之中.我们研究了PIII的工艺条件,用PIII制得了具有20到50nm厚的顶层硅层和20到50nm厚的氧化硅埋层的超薄SIMOX硅片,并用RBS、XTEM等技术对样品进行了测试.

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