Abstract: 本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性.