Chin. J. Semicond. > Volume 10 > Issue 10 > Article Number: 769

氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜

郭述文 , 朱基千 , 谭淞生 and 王渭源

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Abstract: 采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性进行了初步的探讨.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1989

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