MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

司俊杰 , 杨沁清 and 王启明

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Abstract: 根据MBE实际生长条件，采用在应变Si1-xGex／SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si1-xGex／SiMQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW的畸变．