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Volume 18, Issue 8, Aug 1997

    CONTENTS

  • MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

    司俊杰, 杨沁清, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 561

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    根据MBE实际生长条件,采用在应变Si1-xGex/SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数,用生长过程的移动边界条件,求解了Ge在Si1-xGex/SiMQW中的扩散方程,模拟出了MQW的畸变,指出了这种畸变具有固定的不对称性,并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW的畸变.

  • Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜

    张伟, 张仕国, 袁骏

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 568

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    本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术.实验发现在衬底温度为470~850℃的范围内均可得到单晶薄膜,X射线衍射分析表明,薄膜只在2θ=58.9°处出现一个衍射峰,其生长晶面为(1120),是AlN的解理面.在较高的生长温度下,生长速率较低,得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽(0.5°)、Al和N更趋向于化学计量比结合.从扫描电镜测试看出,薄膜表面平整光滑、无裂纹,说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良.最后,NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论.

  • GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究

    崔丽秋, 江德生, 张耀辉, 吴文刚, 刘伟, 宋春英, 李月霞, 孙宝权, 王若桢

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 573

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    本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等.首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题.

  • Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究

    张瑞智, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 581

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    本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱,得到了能量范围为2.0~5.0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系,给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法.

  • 借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量

    王启元, 王俊, 韩秀峰, 邓惠芳, 王建华, 昝育德, 蔡田海, 郁元桓, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 587

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    本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术,通过硅片减薄并采用低温红外透射测量,明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰,提高了红外吸收峰信噪比,在1136cm-1附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰,从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量.实验结果表明:该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围.对于重掺n型硅,其测量应用范围可扩展至电阻率1e-2Ω·cm(自由载流子浓度高达4e18cm-3).

  • InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究

    丁国庆

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 592

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    本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光(PL)谱的正常及异常温度特性;观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实.提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题;认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关.

  • 用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质

    陈光华, 张兴旺, 季亚英

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 598

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    以B2O3作掺杂剂,用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系.实验结果表明:杂质硼原子的激活能为0.078eV,室温迁移率为18cm2·V-1·s-1,远小于单晶金刚石的空穴迁移率.并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析.

  • 红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究

    付军, 栾洪发, 田立林, 钱佩信, 周均铭

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 603

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    在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si/GexSi1-x/Si量子阱结构.在此基础上,采用常规的P-MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P-MOSFET.为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化,MBE以后除快速热退火(RTA)以外的所有工艺温度都不超过800℃.直流特性的测量结果表明,与普通Si沟道器件相比,GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高.而且,这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力.

  • 基于线网类型分析的过点分配算法

    李江, 洪先龙, 乔长阁, 蔡懿慈

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 609

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    过点分配是布线过程中位于总体布线和详细布线之间的一个步骤,它用于在详细布线之前确定线网在总体布线单元边界上的物理位置.本文提出一种新的过点分配的启发式算法,它基于总体布线后的线网类型的分析,考虑了总体布线单元中障碍对过点分配的影响,把整个布线区域的过点分配问题转化成一系列的单列(行)总体布线单元边界的过点分配问题,然后利用经典的线性分配方法进行过点的分配.

  • 真空微电子三极管直流特性及栅阴极电容的计算机模拟

    秦明, 黄庆安, 魏同立

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 616

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    本文利用有限差分方法计算了真空微电子三极管中的电势与电场分布,研究了尖端顶部的电场受尖端曲率半径及栅圆环直径的影响情况,并模拟计算了该管的静态输出特性.另外通过改变尖锥及栅圆环的参数,详细研究了栅阴电容的变化情况,该模拟结果与已报道的实验结果符合较好.

  • 微尖场致发射三极管的FDM-NOCCS算法模拟

    汪琛, 尹涵春, 王保平, 童林夙

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 621

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    本文将非正交曲线坐标系下的有限差分算法和四阶龙格-库塔法结合起来研究了微尖场致发射三极管的静电特性.计算模型中的阴极为塔形(Tower)结构.本文给出了尖端场强与几何结构的关系曲线、电子轨迹图以及阳极电流密度分布.

  • 单电子晶体管放大器的数值分析

    沈波, 蒋建飞

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 626

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    本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型,研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性.结果表明:单电子晶体管放大器具有灵敏度高,功耗低等优点,缺点是由于几率工作,工作条件受到严格的限制.

  • InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

    吕振东, 徐仲英, 郑宝真, 许继宗, 王玉琦, 王建农, 葛惟锟

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 631

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    当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时,在InAs量子点结构中,清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰.研究表明,此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光,局域化能量为12meV,发光具有二维特性.在相同的生长条件下,此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关.这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质.

  • Two-Dimensional Simulation of Interface States Effect on AlGaAs/GaAs HEMT

    张兴宏, 杨玉芬, 王占国

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 636

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    In most heterostructures there are various interface states due to lattice mismatch or imperfections at the interface.The properties of an AlGaAs/GaAs interface are intimately related to the device performance.The existence of interface states in an Al.Ga,-.As/GaAs heteros...

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